【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：形成在衬底之上的成核层；形成在所述成核层之上的缓冲层；形成在所述缓冲层之上的第一氮化物半导体层；以及形成在所述第一氮化物半导体层之上的第二氮化物半导体层，其中，在光致发光中黄光发射与带边发射之比为400％或更小并且在X射线摇摆曲线中的扭转值为1000角秒或更小。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：中村哲一，山田敦史，石黑哲郎，宫岛丰生，今西健治，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：
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