基于III族氮化物材料含多层背势垒的器件结构制造技术

本发明专利技术公开了一种基于III族氮化物材料含多层背势垒的器件结构，属于半导体器件领域。本发明专利技术自下而上包括衬底层、背势垒结构层和沟道层；所述背势垒结构层由两层及以上不同Al组份的AlxGaN（0＜x＜1）背势垒组成，所述背势垒结构层的Al组份沿从沟道层到衬底层方向递增，但同一背势垒中Al组份不变。背势垒结构层降低了沟道电场峰值，有效的调节了沟道电场，提高了器件的击穿电压；相较于场板技术，多层背势垒结构不增加栅电容，对器件的频率特性影响较小；相较于单层背势垒结构，多层背势垒结构在不引入高浓度的2DHG的前提下，用多层低组份背势垒共同调节沟道电场，从而在保持高的器件饱和电流基础上，有效的增加器件耐压。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于III族氮化物材料含多层背势垒的器件结构，其特征在于自下而上包括衬底层（1）、背势垒结构层和沟道层（4）；所述背势垒结构层由两层及以上不同Al组份的AlxGaN（0＜x＜1）背势垒组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王元刚，冯志红，敦少博，吕元杰，房玉龙，徐鹏，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：