【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：形成在衬底上的氮化物半导体层；形成在所述氮化物半导体层上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的栅电极；以及与所述氮化物半导体层接触的源电极和漏电极，其中所述氮化物半导体层包括形成在所述衬底上的第一半导体层和形成在所述第一半导体层上的第二半导体层，其中所述绝缘层包括形成在所述第二半导体层上的第一绝缘层和形成在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，以及其中所述第二绝缘层的密度高于所述第一绝缘层的密度。
【技术特征摘要】
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