【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体结构，包括：第一III?V族化合物层；第二III?V族化合物层，设置在所述第一III?V族化合物层上并且在组分上不同于所述第一III?V族化合物层，其中，载流子沟道位于所述第一III?V族化合物层和所述第二III?V族化合物层之间；介电覆盖层，设置在所述第二III?V族化合物层上；保护层，设置在所述介电覆盖层上；组合开口，形成在所述介电覆盖层和所述保护层中从而暴露出所述第二III?V族化合物层；斜场板，形成在所述组合开口中；源极部件和漏极部件，都设置在所述第二III?V族化合物层上；栅电极，设置在所述源极部件和所述漏极部件之间的所述第二III?V族化合物层的上方并且填充所述组合开口。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：游承儒，姚福伟，许竣为，余俊磊，杨富智，熊志文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。