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本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。具体而言，提供一种制造半导体器件的方法，可以在衬底上形成氮化物半导体层，通过ALD的蒸汽氧化在氮化物半导体层上形成第一绝缘层，通过ALD的氧等离子体氧化在第一绝缘层上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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