【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种高电子迁移率晶体管，包括：缓冲层；沟道层，形成在所述缓冲层上并包括二维电子气沟道；沟道提供层，形成在所述沟道层上；源电极、漏电极和栅电极，形成在所述沟道提供层上；源极接触垫，连接到所述源电极；漏极接触垫，连接到所述漏电极；以及栅极接触垫，连接到所述栅电极，其中所述源极接触垫、所述漏极接触垫和所述栅极接触垫中的一个或两个设置在所述缓冲层的外表面上，其余接触垫设置在不同方向上。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔赫洵，金钟燮，申在光，吴在浚，河种奉，黄仁俊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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