基于III族氮化物材料的凹槽栅极结构的IGBT制造技术

本发明专利技术公开了一种基于III族氮化物材料的凹槽栅极结构的IGBT，属于半导体器件。本发明专利技术自上而下依次包括盖帽层、势垒层、沟道层、阻挡层、耐压层、集电层、发射极、集电极和凹槽栅极；将凹槽栅极延伸到盖帽层及其以下的部分称为栅根；栅根的深度不小于盖帽层、势垒层、沟道层和阻挡层的深度之和；阻挡层为InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）。本发明专利技术在原有的IGBT中应用特殊结构的凹槽栅极，使得发射区载流子可以沿凹槽栅极的侧壁穿过阻挡层进入耐压区；阻挡层采用大禁带宽度的InxAlyGa1-x-yN，可抬高阻挡层势垒，起到天然阻挡层的作用，因而无需在材料外延生长过程中进行阻挡层挖槽，解决了盖帽层、势垒层、沟道层需要二次外延的问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于III族氮化物材料的凹槽栅极结构的IGBT，其特征在于自上而下依次包括盖帽层（1）、势垒层（2）、沟道层（3）、阻挡层（4）、耐压层（5）和集电层（8），还包括发射极（6）、集电极（9）和凹槽栅极（7）；所述发射极（6）位于盖帽层（1）之上，所述集电极（9）位于集电层（8）之下；将所述凹槽栅极（7）延伸到盖帽层（1）及其以下的部分称为栅根；所述栅根的深度不小于盖帽层（1）、势垒层（2）、沟道层（3）和阻挡层（4）的深度之和；所述阻挡层（4）为InxAlyGa1?x?yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：房玉龙，冯志红，尹甲运，王元刚，盛百城，敦少博，吕元杰，宋旭波，邢东，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：