【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：从表面延伸进入半导体主体的漂移区的沟槽区；沿着所述沟槽区的横向侧延伸的介电结构，其中所述介电结构的一部分是带电的绝缘结构；在所述沟槽区中的栅电极；具有不同于所述漂移区的导电类型的导电类型的主体区；以及其中所述带电绝缘结构邻接所述漂移区、所述主体区和所述介电结构的每一个且进一步邻接所述介电结构的栅电介质底侧或设置于其下方。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：F·希尔勒，M·聪德尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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