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本发明涉及包括带电结构的半导体器件及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件，包括从表面延伸进入半导体主体的漂移区的沟槽区。所述半导体器件进一步包括沿着所述沟槽区的横向侧延伸的介电结构，其中所述介电结构的一部分是带电绝缘结构。所述半导体器件...
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