穿过沟槽的选择性锗P接触金属化制造技术

公开了用于形成相对于常规器件具有减小的寄生接触电阻的晶体管器件的技术。这些技术例如可利用标准接触叠层（诸如硅或硅锗（SiGe）源/漏区上的一系列金属）来实现。根据这样的实施例的一个示例，在源/漏和接触金属之间设置中间硼掺杂锗层以显著减小接触电阻。根据本公开，许多晶体管配置和合适的制造工艺将显而易见，包括平面和非平面的晶体管结构（例如FinFET）以及应变和非应变的沟道结构。可使用渐变缓冲来减小失配位错。这些技术尤其适用于实现p型器件，但在需要时也可用于n型器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·A·格拉斯，A·S·莫西，T·甘尼，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：
国别省市：