场效应晶体管及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种场效应晶体管及其形成方法，其中该场效应晶体管包括：衬底；形成在衬底之上的超薄绝缘体层，超薄绝缘体层的材料为单晶稀土氧化物或单晶氧化铍；形成在超薄绝缘体层之上的超薄半导体单晶薄膜；以及形成在超薄半导体单晶薄膜之上的栅堆叠，栅堆叠包括栅介质以及形成在栅介质上方的栅电极。本发明专利技术的场效应晶体管及其形成方法具有结构简单、工艺兼容、关态电流低、散热好等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；形成在衬底之上的超薄绝缘体层，所述超薄绝缘体层的材料为单晶稀土氧化物或单晶氧化铍；形成在所述超薄绝缘体层之上的超薄半导体单晶薄膜；以及形成在所述超薄半导体单晶薄膜之上的栅堆叠，所述栅堆叠包括栅介质以及形成在所述栅介质上方的栅电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王敬，梁仁荣，许军，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：