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本发明公开了一种场效应晶体管及其形成方法，其中该场效应晶体管包括：衬底；形成在衬底之上的超薄绝缘体层，超薄绝缘体层的材料为单晶稀土氧化物或单晶氧化铍；形成在超薄绝缘体层之上的超薄半导体单晶薄膜；以及形成在超薄半导体单晶薄膜之上的栅堆叠，栅堆...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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