一种功率半导体芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种功率半导体芯片及其制备方法，该功率半导体芯片是由N个元胞单元并联形成的。其中，至少一个所述元胞单元上包括位于元胞单元外围的金属硅化物层，该金属硅化物层至少位于元胞单元的多晶硅层的外围区域的上方，该金属硅化物层功能上可以作为栅电阻，该栅电阻将芯片元胞单元的结构包围起来，实现了栅电阻的元胞级并联，提高了元胞级的开关控制能力，改善了芯片的均流特性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种功率半导体芯片，包括N个并联的元胞单元，其特征在于，至少一个所述元胞单元包括，设置有半导体结构的衬底，所述衬底表面包括第一子表面、第二子表面和第三子表面，所述第三子表面为所述衬底表面中心所在的区域，第二子表面包围所述第三子表面，第一子表面包围所述衬底表面第二子表面；依次形成于所述第一子表面之上的栅氧化层、多晶硅层，所述多晶硅层由第一区域和第二区域组成，所述第一区域至少包括第一子区域，所述第一子区域为位于所述多晶硅层靠近边缘的外围闭合区域；所述元胞单元还包括形成于所述第一区域之上的金属硅化物层、覆盖所述第二区域和所述衬底第二子表面之上的绝缘层、覆盖所述绝缘层和所述金属硅化物层的钝化层、以及覆...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国友，覃荣震，黄建伟，罗海辉，
申请(专利权)人：株洲南车时代电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：