【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种化合物半导体器件,包括:衬底;形成在所述衬底上的缓冲层;形成在所述缓冲层上的电子传输层和电子供给层;形成在所述电子供给层上的栅电极、源电极和漏电极;以及包埋电极,所述包埋电极被提供有独立于所述栅电极、所述源电极和所述漏电极的电位以控制所述缓冲层的电位。
【技术特征摘要】
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