化合物半导体器件及其制造方法技术

技术编号:9277978 阅读:95 留言:0更新日期:2013-10-25 00:00
本发明专利技术提供化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括:衬底;形成在衬底上的缓冲层;形成在缓冲层上的电子传输层和电子供给层;形成在电子供给层上的栅电极、源电极和漏电极;以及包埋电极,该包埋电极被提供独立于栅电极、源电极和漏电极的电位以控制缓冲层的电位。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种化合物半导体器件,包括:衬底;形成在所述衬底上的缓冲层;形成在所述缓冲层上的电子传输层和电子供给层;形成在所述电子供给层上的栅电极、源电极和漏电极;以及包埋电极,所述包埋电极被提供有独立于所述栅电极、所述源电极和所述漏电极的电位以控制所述缓冲层的电位。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:小谷淳二
申请(专利权)人:富士通株式会社
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1