【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种实现化合物半导体材料退火的设备，属于化合物半导体材料 热处理工艺
。 一种实现化合物半导体材料退火的设备 技术背景 化合物半导体由于具有特殊的光电转换特性，在LED、LD、太阳能电池（SC)、光探 测器等领域具有举足轻重的作用，使其成为新材料领域的研究热点。 然而化合物半导体材料其特殊的生长过程，由于热力学平衡引起的成分偏析、杂 质与掺杂、以及沉淀相。其使用性能对其结构完整性十分敏感，大尺寸、低缺陷密度材料是 保证最终应用性能的关键。对化合物半导体材料进行退火，可以有效的消除或减少沉淀及 夹杂相，改善材料的性能。
技术实现思路
本技术目的是提供一种实现化合物半导体材料退火的设备。以便根据晶体厚 度，设定梯度温场的长度，从而快速、有效的改善半导体材料的均匀性。 本技术目的是这样实现的，一种实现化合物半导体材料退火的设备，其特征 是：至少包括：石英炉膛、梯度温度加热器、坩埚、坩埚移动机构，坩埚移动机构固定坩埚， 坩埚移动机构在石英炉膛内活动固定，使坩埚在石英炉膛左右移动；石英炉膛有梯度温度 加热器。 所述的梯度温度加热器是一组。 所述的梯度温度加热器是两端密度低中间密度高分布。 所述的梯度温度加热器中心设置为高温场区1100-900°c，两边缘设置为低温场区 1095-700°C，温度梯度为 5°C /cm。 所述的梯度温度加热器是多组。 本技术的优点是：1、通过梯度温场控制沉淀及夹杂相的迁移，受浓度影响小， 不存在依靠沉淀及夹杂相浓度扩散的迁移饱和现象。2、沉淀及夹杂相从晶体中...
【技术保护点】
一种实现化合物半导体材料退火的设备，其特征是：至少包括：石英炉膛（1）、梯度温度加热器（2）、坩埚（3）、坩埚移动机构（4），坩埚移动机构（4）固定坩埚（3），坩埚移动机构（4）在石英炉膛（1）内活动固定，使坩埚（3）在石英炉膛（1）左右移动；石英炉膛（1）有梯度温度加热器（2）。
【技术特征摘要】
1. 一种实现化合物半导体材料退火的设备，其特征是：至少包括：石英炉膛（1)、梯度 温度加热器（2)、坩埚（3)、坩埚移动机构（4)，坩埚移动机构（4)固定坩埚（3)，坩埚移动机 构（4)在石英炉膛（1)内活动固定，使坩埚（3)在石英炉膛（1)左右移动；石英炉膛（1)有 梯度温度加热器（2)。2. 根据权利要求1所述的一种实现化合物半导体材料退火的设备，其特征是：所述的 梯度温度加热器（2)是一组。3. 根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：程翠然，盛丽娜，李阳，
申请(专利权)人：西安西凯化合物材料有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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