【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：形成在衬底之上的第一半导体层；形成在所述第一半导体层之上的第二半导体层；绝缘膜，所述绝缘膜包括形成在所述第二半导体层之上的第一绝缘膜及依次堆叠在所述第一绝缘膜之上的第二绝缘膜和第三绝缘膜，以及形成在所述绝缘膜之上的电极，其中在所述第一绝缘膜中，在设置有所述电极的区域下方形成有包含卤素离子的区域，以及所述第三绝缘膜包含卤素。
【技术特征摘要】
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