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本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：形成在衬底之上的第一半导体层；形成在第一半导体层之上的第二半导体层；绝缘膜，其包括形成在第二半导体层之上的第一绝缘膜及依次形成在第一绝缘膜之上的第二绝缘膜和第三绝缘膜；以及...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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