【技术实现步骤摘要】
本专利技术以一般高频电源供应器的设计原理为基础,将高功因回路与半桥式谐振回 路整合成只由一个变压器绕两组线圈,及一个场效晶体管(M0SFET),达到谐振能量的分配, 使其具备高功因、可调整的固定回授谐振能量,故可取代先前技术的电路。
技术介绍
1.目前市面上的控制芯片,需再外加一驱动芯片,其内含AD转换器,成本高,其改 善功因方面亦需外加改善功因用的IC。 2.目前市面上提高公因的方式 (1)需用电感、电容、一个场效晶体管(MOSFET)将AC的电源经控制整合后,使得市 电之电压与电流同步,来提高功因。 (2)单极高公因驱动即不加场效晶体管(MOSFET),利用半桥式换流器中的其中一 个场效晶体管(MOSFET)替代,提高功因。 3.以上两项都要外挂一场效晶体管(MOSFET)驱动IC,成本高。 4.目前市面上在灯管照明方面,预热启动需加热电极来达到启动灯管,启动后,继续加热电极运转,此会造成损失。 5.目前市面上可调光控制方式 (1)调频控制借控制切换频率大小,改变灯管电流,达到调光的目的,此法如果 调整不同的瓦特数,会使谐振回路处于非谐振状态下,如此转换 ...
【技术保护点】
一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路,其包括有:一电源滤波电路;一电子电路组合回路;一高功因脉波宽度控制回路,内含一个变压器绕两组线圈、一个二极管、一个电容、一个场效晶体管(MOSFET)及一个电阻;一谐振网络。
【技术特征摘要】
一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路,其包括有一电源滤波电路;一电子电路组合回路;一高功因脉波宽度控制回路,内含一个变压器绕两组线圈、一个二极管、一个电容、一个场效晶体管(MOSFET)及一个电阻;一谐振网络。2. 根据权利要求1所述的一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路,其特征 在于电源滤波电路与该外加交流电源电性连接,可以将该外加交流电源整流滤波成直流电 源。3. 根据权利要求1所述的一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路,其特征在 于电子电路组合回路内含柔和启动、电压电流回授、共振频率修正控制、脉波宽度输出以及 可调整谐振能量设定、高功因控制等功能。4. 根据权利要求1所述的一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路,其特征在 于高功因脉波宽度控制回路,操作在高频且可作功因修正,并与该电源滤波电路电性连接, 可将该电源滤波电路所输入的直流电源,透过场效晶体管(M0SFET)高频切换及变压器之 一组线圈与二极管、...
【专利技术属性】
技术研发人员:江桂香,黄国洪,黄翊,黄千硕,
申请(专利权)人:江桂香,黄国洪,黄翊,黄千硕,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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