一种氮化镓功率场效应晶体管制造技术

技术编号:9336811 阅读:179 留言:0更新日期:2013-11-13 17:31
一种氮化镓功率场效应晶体管的结构,包括衬底、缓冲层、外延在缓冲层上的氮化镓(GaN)沟道层,外延在GaN上的铝镓氮(AlGaN)层、源极、漏极、栅极,以及栅极与AlGaN之间的多晶硅层和绝缘层。当栅极电压为负时,栅极金属层的电子隧穿到多晶硅层,增加GaN场效应晶体管的开启电压从而提高了GaN场效应晶体管的开关性能,并降低晶体管自身的功率损耗。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种氮化镓功率场效应晶体管,其特征在于,所述的结构包括衬底、位于所述衬底表面的缓冲层、外延方法形成在所述缓冲层表面的氮化镓沟道层,外延方法形成在所述氮化镓表面上的铝镓氮层、沉积于所述铝镓氮表面的源极和漏极、位于源极和漏极之间的栅极,以及位于所述栅极与铝镓氮之间的多晶硅层和绝缘层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘朋王振中李超
申请(专利权)人:无锡派腾微纳米科技有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1