【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种常闭型氮化镓场效应晶体管的制造方法,其特征在于,包括:提供衬底,在所述衬底表面外延生长过渡层;在所述过渡层表面外延生长氮化镓层,在所述氮化镓层表面外延生长铝镓氮层;?依次刻蚀所述铝镓氮层和氮化镓层,形成工作区域;在所述工作区域的边缘刻蚀部分厚度的工作区域,形成具有阶梯形状的侧壁;形成覆盖所述工作区域的多层金属薄膜结构,所述多层金属薄膜结构自下而上依次为钛层、铝层、钨层;采用等离子体刻蚀工艺刻蚀所述多层金属薄膜结构,并在高温下退火,在所述侧壁表面形成源极和漏极;?形成所述源极和漏极之后,向栅极区域的铝镓氮层注入氟离子;在所述工作区域表面形成第二多层金属薄膜结构,刻蚀所述第二多层金属薄膜结构,并在高温下退火,形成栅极结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:刘朋,王振中,李超,
申请(专利权)人:无锡派腾微纳米科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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