一种栅极电极及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种栅极电极及其制备方法，该栅极电极包括形成在多晶硅层的第一区域上方的金属硅化物层，该金属硅化物层至少包括两个子区域。该金属硅化物层在功能上作为栅极电极的栅极电阻，该金属硅化物层的每个子区域相当于栅极电阻的一个分电阻，本发明专利技术将至少两个子区域并联起来从而实现了在主栅极区和栅极条之间形成由多个分电阻并联形成栅极电阻的目的。该栅极电极能够克服单个电阻串联在栅焊盘区和栅汇流条所带来的缺点：栅极电阻损坏，整个芯片就可能损坏的风险。同时，该栅极电极能够改善芯片间的均流特性和开关控制特性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种栅极电极，包括衬底、依次位于所述衬底之上的栅氧化层、多晶硅层，其特征在于，所述多晶硅层包括第一区域和第二区域，所述多晶硅层第二区域至少包括包围所述多晶硅层第一区域的子区域；所述栅极电极还包括，位于所述多晶硅层第一区域之上的金属硅化物层，所述金属硅化物层至少包括两个子区域，每个所述子区域包括主体区域和位于所述主体区域两端的第一端头区域和第二端头区域；位于所述多晶硅层的第二区域之上的绝缘层，所述绝缘层包括第一区域和包围所述第一区域的第二区域；覆盖在所述绝缘层和所述金属硅化物层的主体区域之上的钝化层；位于第一部分所述绝缘层第一区域之上的钝化层之上的第一金属化层、位于第二部分所述绝缘层第二区域之上...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国友，覃荣震，黄建伟，罗海辉，
申请(专利权)人：株洲南车时代电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：