【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，第一区域用于形成第一晶体管，第二区域用于形成第二晶体管；形成覆盖所述半导体衬底表面的栅界面层；去除第一区域的部分厚度的栅界面层，在第一区域形成第一栅界面层，在第二区域形成第二栅界面层；形成覆盖所述第一栅界面层和第二栅界面层的高K栅介质层；去除第一区域的部分厚度的高K栅介质层，在第一区域的第一栅界面层表面形成第一高K栅介质层，在第二区域的第二栅界面层表面形成第二高K栅介质层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李凤莲，倪景华，隋运奇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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