一种超结MOSFET的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种超结MOSFET的制备方法，在刻蚀出深沟槽的N型外延层上制备P型外延层，使用P型外延层填满深沟槽的部分直接作为P型漂移区，使用P型外延层高出于P型漂移区和N型外延层的部分制备P型体区，即在P型外延层预先定义为N型区域的部分注入N型离子，得到N型区域，这样，P型外延层高出于N型外延层和P型漂移区的部分被形成的N型区域隔开，形成了各P型体区。通过优化P型漂移区和P型体区的形成过程，能够简化超结MOS的制作流程，降低生产成本，并且，避免使用成本较高的化学机械抛光工艺，也能降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种超结MOSFET的制备方法，其特征在于，包括：在N型衬底的上表面制备N型外延层，并在所述N型外延层上刻蚀出深沟槽；在刻蚀出深沟槽的N型外延层上制备P型外延层，其中，所述P型外延层填满所述深沟槽的部分作为P型漂移区；在所述P型外延层高出于所述N型外延层的预先定义为N型区域的部分，注入N型离子，形成N型区域，所述P型外延层高出于所述N型外延层和所述P型漂移区且被所述N型区域隔开的部分形成P型体区；在所述P型体区和N型区域上制备栅氧化层和多晶层，并对所述多晶层进行刻蚀，形成栅极；在所述P型体区的预先定义为N型源区的部分注入N型离子，形成N型源区；在栅极上制备介质层，并制备源极和漏极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马万里，赵文魁，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：