【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖部分半导体衬底；形成阱区层，所述阱区层覆盖氧化硅层及暴露出的半导体衬底；在所述阱区层上形成单晶硅层；在所述单晶硅层上形成栅极；对所述栅极两侧的阱区层及半导体衬底进行离子注入工艺，形成源/漏极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘金华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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