【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供第一半导体衬底，位于所述第一半导体衬底表面的第二半导体衬底，贯穿所述第二半导体衬底的氧化层，所述第一半导体衬底的晶面指数与待形成的鳍式场效应管的类型相对应；形成覆盖所述第二半导体衬底的掩膜层，所述掩膜层具有多个暴露出所述氧化层的第一开口；沿所述第一开口刻蚀所述氧化层直至暴露出第一半导体衬底；刻蚀所述氧化层后，形成位于所述第一半导体衬底表面的鳍部，所述鳍部具有与所述第一半导体衬底相同的晶面指数。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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