【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽内形成含碳的硅锗应变层在含碳的硅锗应变层上形成栅极结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：禹国宾，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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