【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
双层多晶栅沟槽型MOS晶体管的制备方法，其特征在于，在沟槽内生长第一层氧化层后，生长栅极氧化层前，包括有以下工艺步骤：1)淀积氮化硅；2)沉积第一层多晶硅；3)回刻第一层多晶硅，并在回刻至第一层氧化层表面后上光刻胶，挡住第一层多晶硅引出区域，然后继续回刻，直至超过垂直沟道区域；4)去光阻，在第一层多晶硅表面生长第二层氧化层；5)刻蚀掉沟槽侧壁位于第二层氧化层上方的氮化硅和第一层氧化层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邵向荣，王永成，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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