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本发明公开了一种双层多晶栅沟槽型MOS晶体管的制备方法，该方法在生长完第一层氧化层后，生长栅极氧化层前，进行以下步骤：1)淀积氮化硅；2)沉积第一层多晶硅；3)回刻第一层多晶硅，并在回刻至第一层氧化层表面后上光刻胶，挡住第一层多晶硅引出区域...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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