一种采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法技术
【技术实现步骤摘要】
一种采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法
本专利技术涉及一种半导体设计与制造的方法，特别涉及一种采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法。
技术介绍
MOS（金属氧化物半导体）器件制造过程中，如果按照设计需要提供不同阈值电压的器件，常规方法需要增加光罩（提高成本）才能够实现。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法，能够提供一种新的方法，无需额外成本，可以采用同一进程形成相同结构但阈值电压不同的器件。为了实现以上目的，本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法，在利用掩膜对MOS器件的源极漏极执行离子注入的步骤如下：步骤1：所述的掩膜包含附加掩膜部分，所述的附加掩膜部分设置在多晶硅栅极上方；步骤2：利用包含附加掩膜部分的掩膜执行源极和漏极的离子注入。在所述的步骤1中，所述的掩膜还包含：源极侧的第一掩膜部分和漏极侧的第二掩膜部分。所述的附加掩膜部分的一端靠近源极侧，该附加掩膜部分覆盖将要形成的源极与多晶硅栅极的重叠区，但不影响源极的离子注入；另一端为MOS器件在正常工作时...
【技术保护点】
一种采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法，其特征在于，在利用掩膜对MOS器件的源极漏极执行离子注入的步骤如下：步骤1：所述的掩膜包含附加掩膜部分（PR3），所述的附加掩膜部分（PR3）设置在多晶硅栅极（G）上方；步骤2：利用包含附加掩膜部分（PR3）的掩膜执行源极（S）和漏极（D）的离子注入。
【技术特征摘要】
1.一种采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法，其特征在于，在利用掩膜对MOS器件的源极漏极执行离子注入的步骤如下：步骤1：所述的掩膜包含附加掩膜部分（PR3），所述的附加掩膜部分（PR3）设置在多晶硅栅极（G）上方；步骤2：利用包含附加掩膜部分（PR3）的掩膜执行源极（S）和漏极（D）的离子注入；所述的附加掩膜部分（PR3）的一端靠近源极（S）侧，该附加掩膜部分（PR3）覆盖将要形成的源极（S）与多晶硅栅极（G）的重叠区，但不影响源极（S）的离子注入；另一端为MOS器件在正常工作时导通状态的源端沟道夹断点。2.根据权利要求1所述的采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法，其特征在于，在所述的步骤1中，所述的掩膜还包含：源极（S）侧的第一掩膜部分（PR1）和漏极（D）侧的第二掩膜部分（PR2）。3.根据权利要求1或2所述的采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法，其特征在于，所述的采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法用于制造N或者P型沟道的MOS器件。4.根据权利要求3所述的采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法，其特征在于，所述的采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法用于长沟道器件。5.根据权利要求4所述的采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：江红，李冰寒，吴小利，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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