【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；形成覆盖所述半导体衬底表面的硬掩膜薄膜；形成位于所述硬掩膜薄膜表面的凸起的支撑部；形成位于所述支撑部侧壁的侧墙；去除所述支撑部，并以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述硬掩膜薄膜形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底形成鳍部。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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