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提供了半导体器件、鳍式场效应管的形成方法，其中一种半导体器件的形成方法包括：提供半导体衬底；形成覆盖所述半导体衬底表面的硬掩膜薄膜；形成位于所述硬掩膜薄膜表面的凸起的支撑部；形成位于所述支撑部侧壁的侧墙；去除所述支撑部，并以所述侧墙为掩膜，...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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