温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供第一半导体衬底，位于所述第一半导体衬底表面的第二半导体衬底，贯穿所述第二半导体衬底的氧化层，所述第一半导体衬底的晶面指数与待形成的鳍式场效应管的类型相对应；形成覆盖所述第二半导体衬底的掩膜层，所述掩膜层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。