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本发明公开了一种超结MOSFET的制备方法，在刻蚀出深沟槽的N型外延层上制备P型外延层，使用P型外延层填满深沟槽的部分直接作为P型漂移区，使用P型外延层高出于P型漂移区和N型外延层的部分制备P型体区，即在P型外延层预先定义为N型区域的部分注...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。