半导体结构的形成方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及半导体结构的形成方法。
技术介绍
随着集成电路制造技术的不断发展，晶体管的特征尺寸也越来越小，在晶体管特征尺寸不断缩小情况下，为了提高晶体管的源极和漏极的电子迁移速率，材料为锗的有源区被引入到P型晶体管和N型晶体管中。随着晶体管的特征尺寸进一步减小，材料为三五族元素的有源区被引入到N型晶体管来代替材料为锗的有源区。图1～图4是现有技术中的一种半导体结构的形成方法的剖面结构流程示意图。参考图1～图4，具体形成过程如下：参考图1，提供半导体衬底100，半导体衬底100包括NMOS区域A和PMOS区域B。NMOS区域A用来形成NMOS晶体管，PMOS区域B用来形成PMOS晶体管。在NMOS区域A的半导体衬底100内形成至少一个浅沟槽隔离结构(STI)101。在PMOS区域B的半导体衬底100内形成至少一个浅沟槽隔离结构201。接着，参考图2，刻蚀NMOS区域A的浅沟槽隔离结构101两侧的半导体衬底形成NMOS区域A的第一凹槽103，第一凹槽103的深度小于浅沟槽隔离结构101的深度。刻蚀...
【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成至少一个隔离结构；在所述隔离结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽，所述第一凹槽深度小于所述隔离结构的深度；在所述第一凹槽内填充满第一半导体材料层，且第一半导体材料层高于所述半导体衬底，所述高于半导体衬底的第一半导体材料层呈分立结构；在所述半导体衬底、隔离结构、第一半导体材料层上形成第一连接层；去除高于半导体衬底的第一半导体材料层和第一连接层。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成至少一个隔离结构；
在所述隔离结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽，所述第一凹槽深度小于
所述隔离结构的深度；
在所述第一凹槽内填充满第一半导体材料层，且第一半导体材料层高于所述
半导体衬底，所述高于半导体衬底的第一半导体材料层呈分立结构；
在所述半导体衬底、隔离结构、第一半导体材料层上形成第一连接层；
去除高于半导体衬底的第一半导体材料层和第一连接层。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除高于半导体衬底的第一
半导体材料层和第一连接层后，还包括对所述第一半导体材料层进行P型
掺杂的步骤。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，
所述半导体衬底包括PMOS区域和NMOS区域；
所述隔离结构包括PMOS区域的隔离结构和NMOS区域的隔离结构；
所述第一凹槽包括PMOS区域的第一凹槽和NMOS区域的第一凹槽；
所述第一半导体材料层包括PMOS区域的第一半导体材料层和NMOS区域的
第一半导体材料层；
去除高于半导体衬底的第一半导体材料层和第一连接层后，还包括：
对所述PMOS区域的第一半导体材料层进行P型掺杂，对所述NMOS区域第
一半导体材料层进行N型掺杂。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一半导体材料层为锗。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一半导体材料层的形
成方法为选择性外延生长。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一连接层的材料为氧
\t化硅或氮化硅。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除高于半导体衬底的第一
半导体材料层和第一连接层后，还包括下列步骤：
在剩余的所述第一半导体材料层内形成第二凹槽，所述第二凹槽的底部露出
第一半导体材料层；
在所述第二凹槽内的第一半导体材料层上形成过渡层，所述过渡层与所述半
导体衬底上表面齐平；
在所述过渡层上形成第二半导体材料层；
对所述第二半导体材料层进行N型掺杂。
8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在剩余的所述第一半导体材
料层内形成第二凹槽的方法为干法刻蚀或湿法腐蚀。
9.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在所述第二凹槽内的第一半
导体材料层上形成过渡层，所述过渡层与所述半导体衬底上表面齐平，包
括：
在所述第二凹槽内填充满过渡层，所述过渡层高于所述半导体衬底，且高于
所述半导体衬底的所述过渡层呈分立结构；
在所述半导体衬底、隔离结构、过渡层上形成第二连接层；
去除高于半导体衬底的过渡层和第二连接层。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋莉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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