制作光学感测元件与薄膜晶体管元件的方法技术

一种光学感测元件与薄膜晶体管元件的整合方法，包括下列步骤。提供基板，并于基板上形成栅极与下电极。形成第一绝缘层于栅极与下电极上，且第一绝缘层至少部分暴露出下电极。形成感光图案于下电极上。形成图案化透明半导体层于第一绝缘层上，其中图案化透明半导体层包括第一透明半导体图案覆盖于栅极上方，以及第二透明半导体图案覆盖感光图案。形成源极与漏极于第一透明半导体图案上。对第二透明半导体图案进行改质制程，包括通入至少一气体将第二透明半导体图案改质成具有导电性的透明上电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种，特别是指一种整合光学感测元件与薄膜晶体管元件的制作方法。
技术介绍
随着电子产品的不断创新，显示面板除了单纯作为观看影像数据之外，更逐渐被加入触控输入的功能而成为人机互动接口。近年来，光学感测元件也逐渐地被应用在显示面板上，例如作为指纹传感器之用。然而，由于光学感测元件与薄膜晶体管元件两者的制程与元件特性不完全相同，因此在制作上会面临到工艺步骤复杂与光学感测元件受损等问题，而待进一步改善。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种，以简化工艺并提高可靠度与良率。本专利技术的一实施例提供一种，包括下列步骤。提供基板，基板具有开关元件区与感光元件区。形成第一图案化金属层于基板上，其中第一图案化金属层包括栅极位于开关元件区内，以及下电极位于感光元件区内。形成第一绝缘层于第一图案化金属层上，第一绝缘层覆盖栅极，且第一绝缘层至少部分暴露出下电极。形成感光图案于下电极上。形成图案化透明半导体层于第一绝缘层上，其中图案化透明半导体层包括第一透明半导体图案覆盖于栅极上方，以及第二透明半导体图案覆盖感光图案。形成第二图案化金属层于图案化透明半导体层上，其中第二图案化金属层包括源极与漏极分别部分覆盖第一透明半导体图案，且第二图案化金属层至少部分暴露出第二透明半导体图案。对第二透明半导体图案进行改质工艺，包括通入至少一气体将第二透明半导体图案改质成具有导电性的透明上电极。其中，另包括依序形成一第二绝缘层与一第一图案化透明导电层于该第二图案化金属层上，其中该第二绝缘层与该第一图案化透明导电层至少部分暴露出该透明上电极。其中，该第二绝缘层至少部分暴露出该漏极，该第一图案化透明导电层包括一像素电极，且该像素电极与该漏极连接。其中，另包括依序形成一第三绝缘层与一第二图案化透明导电层于该第一图案化透明导电层上，其中该第三绝缘层与该第二图案化透明导电层暴露出该透明上电极，该第一图案化透明导电层包括一第一电极，该第二图案化透明导电层包括一第二电极，且该第一电极或该第二电极其中的一者与该漏极连接。其中，该第一图案化金属层另包括一共通线，该第二图案化金属层另包括一转接电极与该共通线连接，且该第一电极或该第二电极其中的另一者与该转接电极连接。其中，该第二电极为一像素电极，与该漏极连接，且该第一电极为一共通电极，与该转接电极连接。其中，该第二图案化透明导电层另包括一桥接电极，且该第一电极与该转接电极经由该桥接电极彼此连接。其中，该第二电极为一共通电极，与该转接电极连接，且该第一电极为一像素电极，与该漏极连接。其中，形成该第二绝缘层或形成该第三绝缘层的步骤系进行一化学气相沉积工艺，且该改质工艺包括于进行该化学气相沉积工艺时一并通入该至少一气体以将该第二透明半导体图案改质成该透明上电极。其中，该至少一气体包括硅烷(silane)气体、氨气与氮气的混合物。其中，另包括于形成该第一图案化透明导电层之前，先形成一第四绝缘层于该第二绝缘层上，其中该第四绝缘层至少部分暴露出该下电极与该漏极。其中，另包括于形成该第二图案化金属层之前，先形成一蚀刻停止层于该第一绝缘层与该图案化透明半导体层上，其中该蚀刻停止层暴露出该第二透明半导体图案并部分暴露出该第一透明半导体图案，且该源极与该漏极系与该蚀刻停止层所暴露出的该第一透明半导体图案连接。其中，该改质工艺包括一回火工艺，且该至少一气体的成分包括氢。其中，该至少一气体包括水蒸气或清洁干燥空气。其中，该改质工艺包括一电浆工艺，且该至少一气体包括氢气。本专利技术的另一实施例提供一种，包括下列步骤。提供基板，基板具有开关元件区与感光元件区。形成第一图案化金属层于基板上，其中第一图案化金属层包括第一图案位于开关元件区内，以及第二图案位于感光元件区内。形成第一绝缘层于第一图案化金属层上，其中第一绝缘层覆盖第一图案与第二图案。形成第二图案化金属层于第一绝缘层上，其中第二图案化金属层包括源极与漏极位于开关元件区内的第一图案上方。形成图案化透明半导体层于第一绝缘层上，其中图案化透明半导体层包括第一透明半导体图案部分覆盖源极与漏极，以及第二透明半导体图案位于感光元件区内。形成第二绝缘层于第一绝缘层上，其中第二绝缘层覆盖第一透明半导体图案并至少部分暴露出第二透明半导体图案。形成感光图案于感光元件区内的第二绝缘层上，其中感光图案覆盖第二透明半导体图案。形成第三图案化金属层于第二绝缘层上，其中第三图案化金属层包括栅极，栅极位于第一透明半导体图案上，且第三图案化金属层至少部分暴露出第二透明半导体图案。形成第三绝缘层于第三图案化金属层上，其中第三绝缘层至少部分暴露出漏极。形成第一图案化透明导电层于第三绝缘层上，其中第一图案化透明导电层包括透明上电极，且透明上电极覆盖感光图案。对第二透明半导体图案进行改质工艺，包括通入至少一气体将第二透明半导体图案改质成一具有导电性的透明下电极。其中，该第一图案化透明导电层另包括一像素电极，与该漏极连接。其中，另包括依序形成一第四绝缘层与一第二图案化透明导电层于该第一图案化透明导电层上，其中该第四绝缘层至少部分暴露出该透明上电极，该第一图案化透明导电层包括一第一电极，该第二图案化透明导电层包括一第二电极，且该第一电极或该第二电极的其中的一者与该漏极连接。其中，该第一图案化金属层另包括一共通线，该第二图案化金属层另包括一第一转接电极与该共通线连接，且该第三图案化金属层另包括一第二转接电极与该第一转接电极连接。其中，该第一电极或该第二电极其中的另一者与该第二转接电极连接。其中，该第二电极为一像素电极，与该漏极连接，该第一电极为一共通电极，与该第二转接电极连接。其中，该第二图案化透明导电层另包括一桥接电极，且该第一电极与该第二转接电极经由该桥接电极彼此连接。其中，该第二电极为一共通电极，与该第二转接电极连接，该第一电极为一像素电极，与该漏极连接。其中，该改质工艺包括与形成该感光图案的步骤同时进行，于形成该感光图案的工艺时一并通入该至少一气体以将该第二透明半导体图案改质成该透明下电极。其中，另包括于形成该第一图案化透明导电层之前，先形成一第五绝缘层于该第三绝缘层上，其中该第五绝缘层至少部分暴露出该透明下电极与该漏极。其中，该改质工艺包括一回火工艺，且该至少一气体的成分包括氢。其中，该至少一气体包括水蒸气或清洁干燥空气。 其中，该改质工艺包括一电浆工艺，且该至少一气体包括氢气。其中，该第二图案为浮置，且该第二图案的尺寸大于该透明下电极的尺寸。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。【附图说明】图1至图5绘示本专利技术的第一实施例的示意图。图6绘示本专利技术的第一实施例的一变化实施例的示意图。图7至图10绘示本专利技术的第二实施例的示意图。图11绘示本专利技术的第二实施例的一变化实施例的示意图。图12绘示本专利技术的第三实施例的示意图。图13至图16绘示本专利技术的第四实施例的示意图。图17与图18绘示本专利技术的第五实施例的示意图。图19绘示本专利技术的第五实施例的一变化实施例的示意图。图20绘示本专利技术的第六实施例的示意图。其中，附图标记:1，1A, 2，2A, 3，4，5，5A, 6 显示面板 10基板10T开关元件区10S感光元件区12第一图案化金属层14第一绝缘层16感光图案18图案化透本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作光学感测元件与薄膜晶体管元件的方法，其特征在于，包括：提供一基板，该基板具有一开关元件区与一感光元件区；形成一第一图案化金属层于该基板上，其中该第一图案化金属层包括一栅极位于该开关元件区内，以及一下电极位于该感光元件区内；形成一第一绝缘层于该第一图案化金属层上，该第一绝缘层覆盖该栅极，且该第一绝缘层至少部分暴露出该下电极；形成一感光图案于该下电极上；形成一图案化透明半导体层于该第一绝缘层上，其中该图案化透明半导体层包括一第一透明半导体图案覆盖于该栅极上方，以及一第二透明半导体图案覆盖该感光图案；形成一第二图案化金属层于该图案化透明半导体层上，其中该第二图案化金属层包括一源极与一漏极分别部分覆盖该第一透明半导体图案，且该第二图案化金属层至少部分暴露出该第二透明半导体图案；以及对该第二透明半导体图案进行一改质工艺，包括通入至少一气体将该第二透明半导体图案改质成具有导电性的一透明上电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈信学，陈培铭，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71