半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供在能够用激光切断的熔丝元件中具有耐腐蚀性的半导体装置。用激光能够切断除去的熔丝元件（11）包括：激光斑点（13）所照射的大截面积的宽宽度部（A）；和邻接设置在其两侧的小截面积的窄宽度部（B），通过激光照射除去宽宽度部（A），截面积小的窄宽度部（B）成为切断面，因此即使是被切断的熔丝元件也可抑制水分的浸入。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置，特别涉及具有能够通过切断来变更电路结构的熔丝元件的半导体装置。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，有结束晶圆制造工序后，例如用激光器，切断例如采用多晶硅、金属的熔丝元件，从而进行电路结构的变更的方法。通过采用本方法，在测定半导体装置的电特性后，修正电阻的值，从而能够得到期望的特性，在模拟特性得到重视的半导体装置中成为特别有效的方法。在该方法中，要求熔丝元件在激光中能够被稳定地切断以及耐腐蚀性高。一直以来，在半导体装置的上部形成绝缘性的保护膜，出于防止来自外部的水分侵入等的等等目的，例如使用氮化硅膜。然而，关于熔丝元件，设想在后面通过激光照射来进行切断，因此不能配置会吸收激光的氮化硅膜，而除去熔丝元件上方的保护膜，因此保护膜成为开口的状态。为此，熔丝元件成为容易受水分进入的影响的状态，需要提高耐腐蚀性。在专利文献I中，提示了在熔丝元件上至少侧面、或侧面及比侧面薄且上部形成氮化硅膜、硅氧氮化膜等的耐湿性绝缘膜，提高耐腐蚀性的方法。现有技术文献专利文献 专利文献1:日本特开2011 — 49252号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题 然而，上述现有的技术中举出以下的课题。成为与基本上水分从除去了熔丝元件上的保护膜的部分进入相对，而耐湿性绝缘膜不配置在熔丝元件上部或者较薄地形成的方法。为此，上部的保护不够。而且作为耐湿性绝缘膜，使用氮化硅膜、硅氧氮化膜，因此难以吸收照射的激光并进行熔丝切断。本方法中，耐湿性提高和用激光进行的熔丝元件切断的稳定性处于折衷选择的关系，认为难以得到满足两者的条件。不管怎样，本现有技术仅将未切断的熔丝元件放在心上，关于利用激光进行切断的熔丝元件，成为完全没有效果的结构。原因是切断的熔丝元件会在截面露出熔丝元件，发生腐蚀。从切断面发生熔丝元件的腐蚀，并且熔丝元件膨胀，从而裂缝进入熔丝元件上的绝缘膜。进而裂缝成为水分的进入路径，会出现腐蚀进行到半导体装置的内部的问题。本专利技术鉴于上述课题而完成，提供具有能够抑制从切断熔丝元件的部分开始的腐蚀的发展的熔丝元件的半导体装置。用于解决课题的方案 本专利技术为了解决上述课题，提供一种半导体装置，在能够用激光进行切断的熔丝元件中，改变被照射激光并被除去的熔丝元件部分和激光照射后还残留的熔丝元件部分的构造，具备露出于由激光照射形成的切断面的熔丝元件的截面积小的构造。专利技术效果 依据本专利技术，熔丝元件在用激光切断后，从切断面露出的熔丝元件的截面积也小，即便熔丝元件的露出部分腐蚀，膨胀的体积也变小，抑制施加于熔丝保护绝缘膜的应力，在熔丝保护绝缘膜不发生裂缝，因此不会出现新的水分浸入路径，从而能够提供不会发生水分侵入到半导体装置内部造成的腐蚀发展的熔丝元件。【附图说明】图1是示出本专利技术的半导体装置的第一实施方式的平面图； 图2是示出本专利技术的半导体装置的第一实施方式的截面图； 图3是示出本专利技术的半导体装置的第二实施方式的平面图； 图4是示出本专利技术的半导体装置的第二实施方式的截面图； 图5是示出本专利技术的半导体装置的第三实施方式的平面图； 图6是示出本专利技术的半导体装置的第三实施方式的截面图。【具体实施方式】以下，参照附图，对本专利技术的各种实施方式进行说明。 图1是示出本专利技术中的半导体装置的第一实施方式的平面图。多个熔丝元件11并联配置，熔丝元件11的两端成为端子14a、14b。各熔丝元件从该端子连接到电路。电路判断端子14a与14b之间有电流流过还是没有流过。在没有被切断的熔丝元件11中在两端子14a与14b之间有电流流过，因此将与电流的流向垂直的方向的熔丝元件的尺寸称为熔丝元件的宽度。在图1中与连结端子14a、14b的方向垂直的方向成为熔丝元件的宽度。包含熔丝元件11的中心的区域为了进行利用激光的切断，配置有保护膜开口区域12。保护膜开口区域12成为除去配置在半导体装置的上部的例如氮化硅膜这样的保护膜的区域。在此，如图1的(A)及(B)所示，各熔丝元件11不具有一样的宽度，而成为具有宽度不同的部分的结构。以下，将熔丝元件11的(A)的区域称为大截面积区域，(B)的区域称为小截面积区域。大截面积区域(A)为熔丝元件11的宽宽度部，是在用激光进行切断时激光斑点13a、13b、13c所照射的部分。激光照射由于激光的斑点直径及对准精度，产生对准偏移。例如像图1所示的激光斑点13a、13b、13c那样斑点的位置可能偏移。此时熔丝元件11的大截面积区域(A)也设计成为确实落在激光斑点13内。大截面积区域(A)的宽度要参考激光的斑点直径而决定。另外，小截面积区域(B)为窄宽度部，是在用激光切断熔丝元件11时从截面露出的区域。由于切断面熔丝元件11露出，因此与大截面积区域(A)相比设计成较细，以极力减少恪丝元件11的露出面。图2 (a)示出图1的C — C’线上的截面图，图2 (b)示出图1的D — D’线上的截面图。在硅衬底21上配置有绝缘膜22，在绝缘膜22上配置有熔丝元件11。另外，在熔丝元件11的上部配置有恪丝保护绝缘膜23。恪丝保护绝缘膜23起到保护恪丝元件11免受来自上部的水分浸入的作用，需要一定的厚度。熔丝保护绝缘膜的厚度要参考使用半导体装置的环境、条件等而加以设定。图2 Ca)的熔丝元件11的大截面积区域(A)即用激光进行的切断区域需要一定程度的宽度和厚度。用激光进行切断时，接受激光的熔丝元件11因热量而膨胀，从而吹跑熔丝元件11上部的熔丝保护绝缘膜23，由此开口，熔丝元件11就那样气化而消失，从而被切断。熔丝保护绝缘膜23为了防止水分浸入而需要一定程度的厚度，为此如果被激光切断的部分的熔丝元件11没有一定程度的体积，激光照射下爆发的力会较弱，成为不会稳定地吹跑熔丝保护绝缘膜23的状态，因此为了获得体积，大截面积区域(A)会需要一定程度的宽度和厚度。另外，关于小截面积区域(B)，成为用激光切断后的露出面，因此成为对水分浸入没有进行保护措施的状态。切断面受到腐蚀的影响，熔丝元件11膨胀，对熔丝保护绝缘膜23施加应力，导致熔丝保护绝缘膜23的裂缝，裂缝成为水分的进入路径，从而发生连锁腐蚀，本专利技术中通过减少成为用激光形成的切断面的小截面积区域(B)的宽度，露出面积也变小，露出部分的腐蚀引起的应力较弱，因此到熔丝保护绝缘膜23的裂缝得到抑制，不会形成到半导体装置内部的新的水分进入路径，因此能够抑制腐蚀的发展。通过以上方式，采用本专利技术，能够提供在以激光能够切断的熔丝元件中，还抑制来自由激光形成的切断面的腐蚀的影响的半导体装置。 接着，参照附图，对本专利技术的半导体装置的第二实施方式进行说明。图3是本专利技术的第二实施方式中的半导体装置的平面图。配置有熔丝元件11，熔丝元件11的中心为了进行利用激光的切断，配置有保护膜开口区域12。保护膜开口区域12成为配置在半导体装置的上部的除当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，配置于在硅衬底上设置的绝缘膜上，具有被保护绝缘膜覆盖的激光切断用的熔丝元件，所述半导体装置的特征在于，所述熔丝元件包括：大截面积区域；以及小截面积区域，在所述大截面积区域的两侧分别邻接地连接，所述大截面积区域的截面积大于所述小截面积区域的截面积。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：北岛裕一郎，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP