半导体晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供半导体晶片的加工方法，其抑制了激光光线透过玻璃钝化膜而从内部破坏该玻璃钝化膜这样的情况，并能够沿着间隔道形成分割槽。在半导体晶片(W)中，在半导体基板(W1)的表面层叠有层叠体(W2)，通过层叠体形成多个器件(D)。各器件由间隔道(ST)划分。在器件和间隔道的表面覆盖并形成有玻璃钝化膜(W3)。进行钝化膜切断槽形成工序，在该工序中，沿着间隔道照射对于玻璃钝化膜具有吸收性的波长的CO2激光光线(Lc)，从而沿着间隔道形成切断槽(M1)。然后，进行分割槽形成工序，在该工序中，沿着切断槽照射对于层叠体具有吸收性的波长的激光光线(Ly)，从而沿着间隔道形成分割槽(M2)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及沿着半导体晶片的间隔道形成分割槽的。
技术介绍
对于由格子状的间隔道划分而形成1C(集成电路）、LSI(大规模集成电路）等器 件的半导体晶片，通过在间隔道处进行沿纵横切削的切割，而将所述半导体晶片分割成一 个个的器件等半导体巧片。器件及间隔道由在半导体晶片中的半导体基板的表面上层叠的 层叠体形成。层叠体例如是通过层叠Low-k膜（低介电常数绝缘膜）和形成电路的功能膜 而形成的。[000引近期，为了保护器件，在器件及间隔道的表面覆盖有由Si02、SiF、SiON、SiO(SiyOy) 等氧化物构成的被称作纯化膜的保护膜的半导体晶片正在实用化。当对所述半导体晶片中 的半导体基板照射具有吸收性的波长（355nm)的激光光线时，达到带隙能量而破坏原子的 结合力，从而进行烧蚀加工。如果在器件及间隔道的表面覆盖有由氧化物构成的纯化膜，贝U 透过了纯化膜的激光光线在半导体基板上进行烧蚀加工，从而存在从内部破坏纯化膜该样 的问题。因此，例如在专利文献1中，提出了如下加工方法：照射对于纯化膜具有吸收性的 激光光线，在将纯化膜去除后进行分割加工。 专利文献1 ;日本特开2013-102039号公报 然而，在半导体晶片的层叠体上覆盖有玻璃纯化膜的情况下，在专利文献1中的 激光光线的照射条件下，激光光线会透过玻璃纯化膜。因此，透过的激光光线会对由玻璃纯 化膜保护的层叠体等进行烧蚀加工，从而存在从半导体晶片的内部破坏玻璃纯化膜该样的 问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而完成，其目的在于提供一种，其 抑制了激光光线透过玻璃纯化膜而从内部破坏该玻璃纯化膜该样的情况，并能够沿着间隔 道形成分割槽。 本专利技术的是在半导体晶片上沿着间隔道形成分割槽的加 工方法，在该半导体晶片中，利用形成为格子状的多条间隔道划分出多个器件，所述多个器 件由在半导体基板的表面层叠的含有绝缘膜和功能膜的层叠体形成，并且，在器件及间隔 道的表面覆盖形成有玻璃纯化膜，该的特征在于，所述半导体晶片 的加工方法包括如下工序；纯化膜切断槽形成工序，从玻璃纯化膜侧沿着间隔道照射对于 玻璃纯化膜具有吸收性的波长的C〇2激光光线，沿着间隔道去除玻璃纯化膜而形成切断槽； 和分割槽形成工序，在实施了纯化膜切断槽形成工序后，沿着切断槽照射对于层叠体具有 吸收性的波长的激光光线，沿着间隔道去除层叠体而形成分割槽。[000引根据该方法，在纯化膜切断槽形成工序中，由于照射了仅对于玻璃纯化膜具有吸 收性的波长的C02激光光线，因此能够抑制所述C0 2激光光线透过玻璃纯化膜。从而，能够 抑制被玻璃纯化膜覆盖的层叠体由于C02激光光线的照射而被烧蚀加工该一情况。由此， 能够防止从内部破坏玻璃纯化膜，并能够沿着间隔道去除玻璃纯化膜而形成切断槽，然后， 能够在切断槽处形成分割槽。 优选的是，在本专利技术的中，在纯化膜切断槽形成工序中照 射的C〇2激光光线的波长被设定为9. 4ym至10. 6ym 根据本专利技术，抑制了激光光线透过玻璃纯化膜而从内部破坏该玻璃纯化膜该样的 情况，并能够沿着间隔道形成分割槽。【附图说明】 图1是适合于实施本专利技术的的加工装置的立体图。 图2的A是本实施方式的半导体晶片被支承于框架的状态的立体图，图2的B是 半导体晶片的主要部分放大剖视图。 图3的A是构成上述加工装置的第1激光光线照射构件的模块结构图，图3的B 是构成上述加工装置的第2激光光线照射构件的模块结构图。 图4的A及图4的B是示出本实施方式的纯化膜切断槽形成工序的一例的图。 图5的A及图5的B是示出本实施方式的分割槽形成工序的一例的图。 标号说明 1;加工装置；D;器件； Lc;C〇2激光光线； Ly;脉冲激光光线； Ml;切断槽；[00巧 m2;分割槽；[002引 ST;间隔道； W;半导体晶片； W1 ;半导体基板； W2;层叠体； W3 ;玻璃纯化膜。【具体实施方式】[002引 W下，参照附图，对本实施方式的进行说明。图1是加工装 置的立体图。图2的A是支承于框架的半导体晶片的立体图，图2的B是半导体晶片的主 要部分放大剖视图。另外，在本实施方式的中使用的加工装置并不 限定于图1所示的结构，只要能够与本实施方式相同地加工半导体晶片，可W是任意的加 工装置。 如图1所示，加工装置1构成为：利用在卡盘工作台3的上方设置的第1激光光线 照射构件5及第2激光光线照射构件6对在基座上的卡盘工作台3上保持的圆板状的半导 体晶片W进行加工。 该里，参照图2,对成为加工对象的半导体晶片W进行说明。如图2所示，关于半 导体晶片w，在由娃形成的半导体基板化的表面Wla上，利用形成为格子状的多条间隔道ST划分出多个区域，并且在该划分出的区域中形成有1C(集成电路）、LSI(大规模集成电 路）等器件D。如图2的B所示，间隔道ST和器件D由层叠于半导体基板化的表面Wla的 层叠体W2形成。层叠体W2具有由Low-k膜（低介电常数绝缘膜）形成的绝缘膜和形成电 路的功能膜。在形成有间隔道ST和器件D的层叠体W2的表面W2a上，覆盖并形成有由二 氧化娃（Si〇2)、SiF、SiON、SiO(SiyOy)等氧化物构成的玻璃纯化膜W3。而且，在玻璃纯化膜 W3的表面W3a形成有水溶性的保护膜W4,该保护膜W4可防止飞散的碎屑附着于玻璃纯化 膜W3。回到图2的A，在半导体基板化的背面粘贴有由合成树脂片构成的保护带T。半导 体晶片W借助该保护带T安装于环状的框架F。 回到图1，在卡盘工作台3的表面，利用多孔质陶瓷材料形成有从背面侧抽吸保持 半导体晶片W的保持面3a。保持面3a通过卡盘工作台3内的流路与抽吸源（未图示）连 接。卡盘工作台3具有圆盘形状，并且被设置成能够借助未图示的旋转构件W圆盘中屯、为 轴旋转。在卡盘工作台3的周围经由支承臂设有一对夹紧部9。各夹紧部9由空气驱动器 驱动，由此，半导体晶片W的周围的框架F被从轴向两侧夹持并固定。 在卡盘工作台3的下方设有由圆筒部件10支承的罩11。圆筒部件10设置在分 度进给构件13的上方。分度进给构件13具有；与Y轴方向平行的一对导轨14及滚珠丝杠 15 ;和W能够滑动的方式设置于一对导轨14上的Y轴工作台16。在Y轴工作台16的背面 侧形成有未图示的螺母部，滚珠丝杠15螺合于该螺母部。而且，通过驱动在滚珠丝杠15的 一端部连结的驱动马达17旋转，Y轴工作台16沿着导轨14在分度进给方向（Y轴方向）上 移动。 分度进给构件13被设在构成加工进给构件20的X轴工作台21上。加工进给构 件20还包括配置在基座2上的与X轴方向平行的一对导轨22和滚珠丝杠23,X轴工作台 21W能够滑动的方式设置在一对导轨22上。在X轴工作台21的背面侧形成有未图示的螺 母部，滚珠丝杠23螺合于该螺母部。而且，通过驱动在滚珠丝杠23的一端部连结的驱动马 达24旋转，X轴工作台21沿着导轨22在加工进给方向狂轴方向）上移动。 第1激光光线照射构件5被设置成能够借助于第1支承机构27在卡盘工作台3 的上方沿Y轴方向及Z轴方向移动。第1支承机构27具有；配置在基座2上的与Y轴方向 平行的一对导轨28 ;和W能够滑动的方式设置于一对导轨28的马达驱动的Y轴工作台29。 Y轴工作台29在俯视本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片的加工方法，其是在半导体晶片上沿着间隔道形成分割槽的加工方法，在该半导体晶片中，利用形成为格子状的多条间隔道划分出多个器件，所述多个器件由在半导体基板的表面层叠的含有绝缘膜和功能膜的层叠体形成，并且，在该器件及该间隔道的表面覆盖形成有玻璃钝化膜，该半导体晶片的加工方法的特征在于，所述半导体晶片的加工方法包括如下工序：钝化膜切断槽形成工序，从该玻璃钝化膜侧沿着该间隔道照射对于该玻璃钝化膜具有吸收性的波长的CO2激光光线，沿着该间隔道去除该玻璃钝化膜而形成切断槽；和分割槽形成工序，在实施了该钝化膜切断槽形成工序后，沿着该切断槽照射对于该层叠体具有吸收性的波长的激光光线，沿着该间隔道去除该层叠体而形成分割槽。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：相川力，小田中健太郎，土屋利夫，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP