一种阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板的制备方法。
技术介绍
在以液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)为代表的显示
中，由于分辨率的提高和显示尺寸的增大、以及显示装置中驱动器电路的集成需要进行低电阻布线，因此，具有低电阻特性的金属例如铜(Cu)所制得的栅线和数据线、以及薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)中的栅极、源极和漏极已经应用于显示装置。然而由于具有低电阻特性的金属例如Cu的活性比较强，在刻蚀形成像素电极时，Cu表面容易发生氧化，并且Cu表面氧化厚度会随着时间的增加而不断增加，这样会造成Cu材质的源极和漏极的接触电阻增加，从而导致像素电极无法与漏极连接，进而影响产品良率。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板的制备方法，可以避免由于源极图案和漏极图案采用活性较强的材料时，其表面氧化而导致像素电极图案无法与源极图案或漏极图案连接的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：一方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板上形成栅极图案、栅绝...
【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成栅极图案、栅绝缘层图案、金属氧化物半导体有源层图案；形成刻蚀阻挡层；先形成像素电极图案，再形成源极图案和漏极图案；其中，所述像素电极图案通过所述源极图案或者漏极图案与所述金属氧化物半导体有源层图案连接。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成栅极图案、栅绝缘层图案、金属氧化物半导体有源层图案；形成刻蚀阻挡层；先形成像素电极图案，再形成源极图案和漏极图案；其中，所述像素电极图案通过所述源极图案或者漏极图案与所述金属氧化物半导体有源层图案连接；在形成所述刻蚀阻挡层之后形成所述像素电极图案之前，所述方法还包括：对所述刻蚀阻挡层进行一次构图工艺处理，形成包括第一过孔和第二过孔的刻蚀阻挡层图案；并形成位于除像素区域外且至少覆盖所述第一过孔和所述第二过孔的光刻胶层图案；所述先形成像素电极图案，再形成源极图案和漏极图案，其中，所述像素电极图案通过所述源极图案或者漏极图案与所述金属氧化物半导体有源层图案连接，包括：在形成有所述光刻胶层图案的基板上，形成所述像素电极图案；并去除所述光刻胶层图案，露出所述第一过孔和所述第二过孔；在形成有所述像素电极图案的基板上形成所述源极图案和所述漏极图案；所述源极图案通过所述第一过孔与所述金属氧化物半导体有源层图案相连，所述漏极图案通过所述第二过孔与所述金属氧化物半导体有源层图案相连，所述源极图案或所述漏极图案与所述像素电极图案相连。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述刻蚀阻挡层进行一次构图工艺处理，形成包括第一过孔和第二过孔的刻蚀阻挡层图案，并形成位于除像素区域外且至少覆盖所述第一过孔和所述第二过孔的光刻胶层图案，包括：在所述刻蚀阻挡层上形成第一光刻胶层；采用普通掩模板对形成有所述第一光刻胶层的基板进行曝光、显影后，形成第一光刻胶完全保留部分和第一光刻胶完全去除部分；其中，所述第一光刻胶完全去除部分至少对应像素区域以及所述第一过孔和所述第二过孔的区域，所述第一光刻胶完全保留部分对应其他区域；采用刻蚀工艺去除所述第一光刻胶完全去除部分的刻蚀阻挡层薄膜，形成所述刻蚀阻挡层图案；对所述第一光刻胶完全保留部分的光刻胶进行固化处理，以使所述第一光刻胶完全保留部分的光刻胶形貌发生变化填充在所述第一过孔和所述第二过孔中，形成位于除像素区域外且至少覆盖所述第一过孔和所述第二过孔的所述光刻胶层图案。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用刻蚀工艺去除所述第一光刻胶完全去除部分的刻蚀阻挡层薄膜，包括：采用湿法刻蚀工艺去除所述第一光刻胶完全去除部分的所述刻蚀阻挡层薄膜，使所述第一过孔的直径大于与所述第一过孔对应的所述第一光刻胶完全保留部分之间的间隙，使所述第二过孔的直径大于与所述第二过孔对应的所述第一光刻胶完全保留部分之间的间隙。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述第一光刻胶完全保留部分的光刻胶进行固化处理，以使所述第一光刻胶...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹占锋，张锋，姚琪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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