【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶片的加工方法和晶片处理装置。
技术介绍
1、随着近年来的器件芯片的低高度化、高集成化，不断开发三维层叠的半导体晶片。例如tsv(through-silicon via：硅通孔)晶片能够通过贯通电极将两个芯片彼此贴合而得的两芯片的电极连接。
2、这样的晶片在贴合于作为基台的支承晶片(硅、玻璃、陶瓷等)的状态下被磨削而薄化。通常晶片的外周缘被倒角，因此当磨削得极薄时，外周缘成为所谓的刀刃，在磨削中容易产生边缘的缺损。由此，存在缺损延长至器件而导致器件的破损的可能性。
3、作为刀刃的对策，还考虑了如下的边缘修剪方法：在将晶片贴合之后，沿着器件区域的外周缘照射激光束而形成环状的改质层，由此抑制产生于该磨削中的晶片的边缘缺损伸展至器件(参照专利文献1)。
4、专利文献1：日本特开2020-057709号公报
5、但是，关于专利文献1记载的方法，存在磨削时想要去除的外周剩余区域的边角料未剥离而残留的可能性，存在比环状的改质层靠外侧的区域与内侧的区域相互碰撞而破损的可能性、在之后继续进行的研磨工序中使研磨垫损伤的可能性。
技术实现思路
1、由此，本专利技术的目的在于提供晶片的加工方法和晶片处理装置，在贴合晶片的磨削工序中，能够抑制器件的破损并且能够将外周剩余区域去除。
2、根据本专利技术的一个方式，提供晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：贴合晶片形成步骤，将在一个面上具有形成有器件的器件区域以及围绕该器
3、优选在该检测步骤中，对于比该分离层靠外周缘侧的该外周剩余区域照射测量光，并接受在该外周剩余区域发生了反射的测量光以及在该分离层发生了反射的测量光中的至少任意一方，由此检测比该分离层靠外周缘侧的该外周剩余区域是否被去除。
4、优选晶片的加工方法还具有如下的外力赋予步骤：在通过该检测步骤检测到该外周剩余区域未去除的情况下，对该外周剩余区域赋予外力而将该外周剩余区域去除。
5、根据本专利技术的另一方式，提供晶片处理装置，其中，该晶片处理装置具有：保持工作台，其将在一个面上具有形成有器件的器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域且外周缘进行了倒角的晶片按照使另一个面侧露出的状态进行保持，在该晶片的比该外周缘靠内侧规定的距离的区域中，形成有沿着圆锥台的侧面的形状的分离层，该圆锥台从该晶片的该一个面侧朝向该另一个面侧具有越靠近该外周缘则越靠近该一个面的倾斜；光源，其对该保持工作台所保持的该晶片的该外周剩余区域照射测量光；受光单元，其接受从该光源照射且在该外周剩余区域发生了反射的测量光以及在该分离层发生了反射的测量光中的至少任意一方；以及判断部，其根据该受光单元所接受的测量光而判断该外周剩余区域是否以该分离层为起点而从该晶片去除。
6、优选晶片处理装置还具有磨削单元，该磨削单元将该保持工作台所保持的该晶片的该另一个面侧进行磨削而薄化至规定的厚度。
7、根据本申请专利技术，在贴合晶片的磨削工序中，能够抑制器件的破损并且能够将外周剩余区域去除。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，其中，
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
4.一种晶片处理装置，其中，
5.根据权利要求4所述的晶片处理装置，其中，
【技术特征摘要】
1.一种晶片的加工方法，其中，
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
3.根据权利要求1或2所...
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