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一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成至少一个隔离结构；在所述隔离结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽，所述第一凹槽深度小于所述隔离结构的深度；在所述第一凹槽内填充满第一半导体材料层，且第一半导体材料层高于所述...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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