鳍式场效应管的形成方法技术

技术编号:9277719 阅读:91 留言:0更新日期:2013-10-24 23:55
一种鳍式场效应管的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底表面具有多个鳍部;形成位于所述鳍部的顶部和侧壁的介质层;采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成金属层,所述金属层位于所述介质层表面、且填充满相邻鳍部间的区域。本发明专利技术实施例形成的鳍式场效应管的金属层的质量好,较好的填充于相邻鳍部间的区域,无孔洞等缺陷,形成的鳍式场效应管的性能好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种鳍式场效应管的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底表面具有多个鳍部;形成位于所述鳍部的顶部和侧壁的介质层;采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成金属层,所述金属层位于所述介质层表面、且填充满相邻鳍部间的区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:三重野文健
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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