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本发明提供了一种栅极电极及其制备方法，该栅极电极包括形成在多晶硅层的第一区域上方的金属硅化物层，该金属硅化物层至少包括两个子区域。该金属硅化物层在功能上作为栅极电极的栅极电阻，该金属硅化物层的每个子区域相当于栅极电阻的一个分电阻，本发明将至...
该专利属于株洲南车时代电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲南车时代电气股份有限公司授权不得商用。

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