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一种常闭型氮化镓场效应晶体管的制造方法,包括:提供衬底材料,所述衬底材料表面外延生长氮化镓层,所述氮化镓层表面生长铝镓氮层;通过第一次等离子体刻蚀,形成工作区域;通过第二次等离子体刻蚀形成源极和漏极接触区域;沉积源极和漏极金属;通过第三次等...该专利属于无锡派腾微纳米科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过无锡派腾微纳米科技有限公司授权不得商用。
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一种常闭型氮化镓场效应晶体管的制造方法,包括:提供衬底材料,所述衬底材料表面外延生长氮化镓层,所述氮化镓层表面生长铝镓氮层;通过第一次等离子体刻蚀,形成工作区域;通过第二次等离子体刻蚀形成源极和漏极接触区域;沉积源极和漏极金属;通过第三次等...