【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：(a)提供衬底，在所述衬底上形成栅极堆叠，在所述栅极堆叠的侧壁形成侧墙；(b)在所述栅极堆叠两侧的衬底上形成凹槽，各向异性刻蚀所述栅极堆叠两侧的凹槽，使其穿通，形成空腔；(c)形成源/漏区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，尹海洲，骆志炯，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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