一种半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构及其制造方法先形成伪源/漏区，再除去该伪源/漏区后形成替换源/漏区，有效避免了对强应变的源/漏区进行高温退火时强应力引起的晶格错位和缺陷；在该半导体结构的形成过程中采用较低的退火处理温度，因此替换源/漏区的材料可选用高Ge比重的SiGe或SiC，能向MOSFET的沟道区施加强应力，提升了MOSEFT的性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体结构的制造方法，包括：a)提供由第一半导体材料构成的衬底(100)，在该衬底(100)中形成隔离区(120)，在该衬底(100)之上形成栅极堆叠；b)在栅极堆叠的侧壁上形成侧墙；c)以带有侧墙的栅极堆叠为掩模，对衬底(100)进行刻蚀，在带有侧墙的栅极堆叠与隔离区(120)之间形成凹陷(130)；d)在所述凹陷(130)内生长不同于第一半导体材料的第二半导体材料，形成伪源/漏区(140)；e)形成至少一层覆盖整个半导体结构的介质层；f)去除所述至少一层介质层的一部分以形成到达所述伪源/漏区(140)的接触孔(303)，移除所述伪源/漏区(140)形成源/漏区空腔(131)；g)在所述源/漏区空腔(131)内形成替换源/漏区(304)，并在所述接触孔(303)内形成与该替换源/漏区电连接的接触塞(306)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，梁擎擎，骆志炯，尹海洲，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：