【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内进行第一离子注入形成轻掺杂区；在靠近栅极结构的轻掺杂区外侧区域进行第二离子注入形成第一口袋区；在所述栅极结构侧壁表面形成侧墙；对所述栅极结构和侧墙两侧的半导体衬底进行刻蚀，形成开口；在所述开口内填充满应力材料，形成源/漏区；在靠近栅极结构的源/漏区外侧区域进行第三离子注入形成第二口袋区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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