一种E/D集成的GaN HEMT器件制备方法技术

本发明专利技术是一种E/D集成的GaN?HEMT器件制备方法。其工艺步骤包括在衬底上依次生长成核层、AlyGa1-yN缓冲层、GaN沟道层、AlxGa1-xN势垒层，构成常规AlGaN/GaN异质结构，然后再生长标定层，构成E/D兼容的GaN异质结构；在预留制作E模器件栅电极的区域用微电子工艺去除钝化介质层，再以介质为掩膜进行二次刻蚀，去除D模器件栅脚标定层，去除部分E模器件栅脚势垒层，制作E、D模器件栅极。优点：增强了E模器件阈值电压可控性和一致性，采用基于同一种刻蚀工艺的二次刻蚀方法，使E/D模器件工艺完全兼容，使E模器件与D模器件的栅脚刻蚀深度建立关联，有利于提高GaN?E/D集成电路的成品率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种E/D集成的GaN?HEMT器件制备方法，通过引入标定层并利用标定的D模器件栅脚刻蚀条件实现对E模器件栅脚刻蚀深度的稳定控制；其特征是该方法包括如下工艺步骤：1）在衬底（1）上依次生长成核层（2）、AlyGa1?yN缓冲层（3）、GaN沟道层（4）、AlxGa1?xN势垒层（5），构成常规AlGaN/GaN异质结构，异质界面形成二维电子气（6）；2）然后覆盖标定层（7），构成用于实现E/D集成的AlGaN/GaN异质结构；3）在完成常规欧姆金属电极（8）、钝化介质（9）、隔离（10）制作工艺后，在预留制作E模器件栅电极的区域用微电子工艺去除E膜器件栅脚介质（11），以介质为掩膜进行一次刻蚀...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孔月婵，周建军，孔岑，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：