一种制造氮化物渐变能隙谐振隧穿欧姆接触的方法技术

一种制造氮化物渐变能隙谐振隧穿欧姆接触的方法。本发明专利技术是一种衬底1上依次生长AlGaN/GaN异质结构2、AlGaN渐变能隙过渡层3和重掺杂GaN帽层4制造欧姆接触的方法；重掺杂GaN帽层4降低了金属－半导体接触势垒；渐变能隙过渡层3构成中间阱通过谐振隧穿降低欧姆接触电阻。本发明专利技术通过渐变能隙中间阱设计把高温合金工艺产生的金属－半导体接触势垒和异质结势垒分开，分别优化设计双垒单阱异质结构的能带，显著增大隧穿电流，降低欧姆接触。同时还由重掺杂GaN帽层设计省去了高温合金工艺，改善了接触的表面形貌、器件性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制造氮化物渐变能隙谐振隧穿欧姆接触的方法，包括工艺步骤：1）在衬底（1）上依次生长AlGaN/GaN异质结构（2），AlGaN渐变能隙层（3）和重掺杂GaN帽层（4），构成渐变能隙谐振隧穿欧姆接触异质结构，其特征是：2）针对选定的AlGaN/GaN异质结构（2），设计GaN帽层（4）的厚度和掺杂浓度来降低金属－半导体接触势垒；增大从金属到半导体的隧穿电流；3）在器件工作要求的AlGaN/GaN异质结构（2）上覆盖AlGaN渐变能隙层（3）和重掺杂GaN帽层（4），利用这两层覆盖层来压低异质结沟道阱的阱位，提高沟道阱中的二维电子气密度，尽量增大金属电极上低能电子隧穿到沟道阱的几率，提高隧穿电...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛舫时，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：