一种高压主频谐振电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压主频谐振电路，包括：MCU、驱动模块、场效应管Q1、场效应管Q2、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、谐振变换器LR、激励电磁LM、增益调节线圈LS、输出匹配线圈LF，其中MCU与驱动模块连接，驱动模块分别与场效应管Q1的栅极、场效应管Q2的栅极连接；电容C3、电容C4和电容C5并联，其一端与场效应管Q1的源极、场效应管Q2的漏极连接，另一端与谐振变换器LR的第一端连接；谐振变换器LR的第二端与增益调节线圈LS和激励电磁LM连接；输出匹配线圈LF有四个端子，其中同侧的两个端子与负载两端连接，另一侧的两个端子分别与增益调节线圈LS和激磁电感LM连接。本实用新型专利技术具有较好的电性能参数和电磁兼容特性。

High voltage main frequency resonance circuit

The utility model discloses a high frequency resonant circuit, including: MCU, driver module, Q1, FET FET Q2, a capacitor C1, a capacitor C2, a capacitor C3, a capacitor C4, a capacitor C5, LR resonant converter, excitation electromagnetic coils LS, LM, gain control output, LF coil, which the MCU is connected with the drive module, gate, gate drive module is connected with the Q1 field effect transistor FET Q2 connection; capacitor C3, a capacitor C4 and a capacitor C5 in parallel, one end of the drain is connected with FET Q1 source, FET Q2, the first end and the other end of the LR resonant converter the second terminal connection; LR resonant converter and gain adjusting excitation electromagnetic coil LS and LM connection; output matching coil LF with four terminals, two terminals at the same side which is connected with both ends of the load, the two terminals on the other side and gain adjustment coil L S and magnetizing inductance LM connection. The utility model has better electrical performance parameters and electromagnetic compatibility characteristics.

【技术实现步骤摘要】
一种高压主频谐振电路
本技术涉及谐振电路
，具体地是涉及一种高压主频谐振电路。
技术介绍
主频谐振电路是在电子镇流器等设计中经常使用的电路结构，但是在使用高压、高频电压驱动时，常规的主频谐振电路电磁兼容性能较差，也因此成为设计电子镇流器的难题。因此，本技术的专利技术人亟需构思一种新技术以改善其问题。
技术实现思路
本技术旨在提供一种高压主频谐振电路，其具有较好的电性能参数和电磁兼容特性。为解决上述技术问题，本技术的技术方案是：一种高压主频谐振电路，包括：MCU、驱动模块、场效应管Q1、场效应管Q2、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、谐振变换器LR、激励电磁LM、增益调节线圈LS、输出匹配线圈LF，其中MCU与驱动模块连接，驱动模块分别与场效应管Q1的栅极、场效应管Q2的栅极连接；电容C3、电容C4和电容C5并联，其一端与场效应管Q1的源极、场效应管Q2的漏极连接，另一端与谐振变换器LR的第一端连接；谐振变换器LR的第二端与增益调节线圈LS和激励电磁LM连接，电容C1、电容C2并联在激励电磁LM两端；输出匹配线圈LF有四个端子，其中同侧的两个端子与负载两端连接，另一侧的两个端子分别与增益调节线圈LS和激磁电感LM连接；其中电容C3、电容C4、电容C5的电容值为33nF，增益调节线圈LS的电感值在220uH-330uH之间，激励电磁LM的电感值在200uH-300uH之间，输出匹配线圈LF的电感值在49uH-91uH之间。优选地，还包括电容CV、二极管D1、取样电感LC、电阻R1，其中电容CV一端与MCU的VS端连接，其另一端与谐振变换器LR的第二端连接；二极管D1的负极与MCU的CS端连接，其正极与取样电感LC的第三端连接；取样电感LC的第一端与场效应管Q2的源极连接，电阻R1设置在取样电感LC的第三端和第四端之间。优选地，电容C1和电容C2的电容值为33nF，谐振变换器LR的电感值在35.1uH-42.9uH之间。优选地，电容C1和电容C2的电容值为33nF，谐振变换器LR的电感值为39uH。优选地，电容C1和电容C2的电容值为4.7nF,谐振变换器LR的电感值在47.7uH-58.3uH之间。优选地，电容C1和电容C2的电容值为4.7nF,谐振变换器LR的电感值为53uH。优选地，激励电磁LM的电感值为250uH。优选地，输出匹配线圈LF的电感值为70uH。优选地，增益调节线圈LS的电感值为275uH。采用上述技术方案，本技术至少包括如下有益效果：本技术所述的高压主频谐振电路，输出正弦波电压，具备电流侦测运算，可根据负载情况调整谐振网络增益，满足输出电压的宽范围，其工作频率稳定，效率高，调光输出频率变化小，特别适合农业高压钠灯双端灯，更适合欧洲400V系列的农用灯泡，具有优良的电磁兼容性能。附图说明图1为本技术所述的高压主频谐振电路的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示，为符合本技术的一种高压主频谐振电路，包括：MCU、驱动模块、场效应管Q1、场效应管Q2、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、谐振变换器LR、激励电磁LM、增益调节线圈LS、输出匹配线圈LF，其中MCU与驱动模块连接，驱动模块分别与场效应管Q1的栅极、场效应管Q2的栅极连接；电容C3、电容C4和电容C5并联，其一端与场效应管Q1的源极、场效应管Q2的漏极连接，另一端与谐振变换器LR的第一端连接；谐振变换器LR的第二端与增益调节线圈LS和激励电磁LM连接，电容C1、电容C2并联在激励电磁LM两端；输出匹配线圈LF有四个端子，其中同侧的两个端子与负载两端连接，另一侧的两个端子分别与增益调节线圈LS和激磁电感LM连接；其中电容C3、电容C4、电容C5的电容值为33nF，增益调节线圈LS的电感值在220uH-330uH之间，激励电磁LM的电感值在200uH-300uH之间，输出匹配线圈LF的电感值在49uH-91uH之间。优选地，还包括电容CV、二极管D1、取样电感LC、电阻R1，其中电容CV一端与MCU的VS端连接，其另一端与谐振变换器LR的第二端连接；二极管D1的负极与MCU的CS端连接，其正极与取样电感LC的第三端连接；取样电感LC的第一端与场效应管Q2的源极连接，电阻R1设置在取样电感LC的第三端和第四端之间。在一优选实施例中，C1、C2、C3、C4、C5＝33nF，LS＝275u，LM＝250uH，LR＝39uH，LF＝70，该参数设置可以适合1000W的大功率的植物照明专用灯。在一优选实施例中，C1、C2、C3、C4、C5＝33nF，LS＝220uH，LM＝300uH，LR＝35.1uH，LF＝49uH，该参数设置可以适合1000W的大功率的植物照明专用灯。在一优选实施例中，C1、C2、C3、C4、C5＝33nF，LS＝330uH，LM＝200uH，LR＝42.9uH，LF＝91uH，该参数设置可以适合1000W的大功率的植物照明专用灯。在一优选实施例中C1、C2＝4.7nF,C3、C4、C5＝33nF，LS＝275u，LM＝250uH，LR＝47.7uH，LF＝70，该参数设置可以适合750/600W的植物照明专用灯。在一优选实施例中，C1、C2＝4.7nF,C3、C4、C5＝33nF，LS＝220uH，LM＝300uH，LR＝53uH，LF＝49uH，该参数设置可以适合750/600W的植物照明专用灯。在一优选实施例中，C1、C2＝4.7nF,C3、C4、C5＝33nF，LS＝330uH，LM＝200uH，LR＝58.3uH，LF＝91uH，该参数设置可以适合750/600W的植物照明专用灯。本技术所述的高压主频谐振电路主要用于大功率植物补光HID电子镇流器,通过调整增益调节线圈和激磁电感的匝比可以进行电压增益的设置，满足输出电压在较大范围内调整，且其谐振电流为正弦波，输出为正弦波电压。而方波电压应用于网络，基本上只有正弦电流容许流经谐振网络，电流滞后于施加于谐振网络的电压，保证开关管的开启为零电压，实现了软换向，因此减少噪声和辐射，该谐振网络可以过滤掉杂波，减少开关的传导和辐射干扰。本技术的工作原理为：MCU通过驱动模块来控制隔离控制开关(场效应管Q1、场效应管Q2)，并由隔离控制开关来控制谐振变换器，电压检测回路(电容CV)和电流检测回路(二极管D1、取样电感LC、电阻R1)分别用来检测谐振变换器内启动点火电容两端的电压和电流变化，并将取样数据传输到MCU，并由MCU进行控制调节。本技术通过MCU编程产生一个方波，方波为50％的交替驱动开关Q1,Q2产生方波电压，方波发生器为一个半桥，该驱动电压为连接的是400-430V的直流；由谐振变压器，谐振电容，增益调节线圈，激磁电感组成的谐振和滤波网络，谐振网络的滤波功能可以让我们用基波近似的原理获得谐振的电压增益，又可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压主频谐振电路，其特征在于，包括：MCU、驱动模块、场效应管Q1、场效应管Q2、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、谐振变换器LR、激励电磁LM、增益调节线圈LS、输出匹配线圈LF，其中MCU与驱动模块连接，驱动模块分别与场效应管Q1的栅极、场效应管Q2的栅极连接；电容C3、电容C4和电容C5并联，其一端与场效应管Q1的源极、场效应管Q2的漏极连接，另一端与谐振变换器LR的第一端连接；谐振变换器LR的第二端与增益调节线圈LS和激励电磁LM连接，电容C1、电容C2并联在激励电磁LM两端；输出匹配线圈LF有四个端子，其中同侧的两个端子与负载两端连接，另一侧的两个端子分别与增益调节线圈LS和激磁电感LM连接；其中电容C3、电容C4、电容C5的电容值为33nF，增益调节线圈LS的电感值在220uH‑330uH之间，激励电磁LM的电感值在200uH‑300uH之间，输出匹配线圈LF的电感值在49uH‑91uH之间。

【技术特征摘要】
1.一种高压主频谐振电路，其特征在于，包括：MCU、驱动模块、场效应管Q1、场效应管Q2、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、谐振变换器LR、激励电磁LM、增益调节线圈LS、输出匹配线圈LF，其中MCU与驱动模块连接，驱动模块分别与场效应管Q1的栅极、场效应管Q2的栅极连接；电容C3、电容C4和电容C5并联，其一端与场效应管Q1的源极、场效应管Q2的漏极连接，另一端与谐振变换器LR的第一端连接；谐振变换器LR的第二端与增益调节线圈LS和激励电磁LM连接，电容C1、电容C2并联在激励电磁LM两端；输出匹配线圈LF有四个端子，其中同侧的两个端子与负载两端连接，另一侧的两个端子分别与增益调节线圈LS和激磁电感LM连接；其中电容C3、电容C4、电容C5的电容值为33nF，增益调节线圈LS的电感值在220uH-330uH之间，激励电磁LM的电感值在200uH-300uH之间，输出匹配线圈LF的电感值在49uH-91uH之间。2.如权利要求1所述的高压主频谐振电路，其特征在于：还包括电容CV、二极管D1、取样电感LC、电阻R1，其中电容CV一端与MCU的VS端连接，其另一端与谐振...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱明，蒋乙明，顾玮，
申请(专利权)人：苏州市纽克斯照明有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32