深沟槽功率半导体场效应晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种深沟槽功率半导体场效应晶体管及其制作方法，在漏区与漂移区上制作栅区结构及沟道区，然后对所述外延层进行刻蚀形成深沟槽并在所述深沟槽内形成氧化层，对所述氧化层填充多晶硅材料，最后制作源区、隔离层及电极以完成制作。本发明专利技术先制作晶体管的栅区结构，然后再制作深沟槽结构，相比现有技术中先制作深沟槽结构再制作栅区结构的工艺来说，能减少深沟槽进行氧化和电极沉积工艺对晶体管表面的影响，减少所需的CMP工艺次数，大大地降低晶体管的制作成本，并同时避免了由于湿法刻蚀而导致的深沟槽氧化层表面产生凹陷的问题。本发明专利技术制作工艺简单，适用于工业生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种深沟槽功率半导体场效应晶体管的制作方法，其特征在于，至少包括步骤：1)提供第一导电类型的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一导电类型的外延层，于所述外延层内制作栅区结构并在所述外延层中形成第二导电类型层；2)刻蚀所述外延层以分别在与所述栅区结构的两侧形成深沟槽，并在所述深沟槽表面形成氧化层；3)于所述第二导电类型层中形成第一导电类型层；4)于所述深沟槽内沉积导电材料以形成深沟槽电极；5)于所述第一导电类型层表面制作隔离层；6)刻蚀所述隔离层以露出所述深沟槽电极并露出欲制备源区电极的区域，然后沉积金属材料以形成上电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：白玉明，
申请(专利权)人：无锡维赛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：